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電子行業:第三代半導體再迎政策利好

來源:首創證券 2022-01-07 08:17中投網 A-A+

   事件:

  1月4日,工業和信息化部、住房和城鄉建設部、交通運輸部、農業農村部和國家能源局聯合印發《智能光伏產業創新發展行動計劃(2021-2025年)》。

  點評:

  計劃要求到2025年,光伏智能化顯著提升,產業技術創新取得突破。新型高效太陽能電池量產化轉換效率顯著提升,形成完善的硅料、硅片、裝備、材料、器件等配套能力。智能光伏產業生態體系建設基本完成,與新一代信息技術融合水平逐步深化。智能制造、綠色制造取得明顯進展,智能光伏產品供應能力增強。

  計劃特別指出要開發基于寬禁帶材料及功率器件、芯片的逆變器。要提升逆變器系統安全性實時監測處理、在線PID抑制與修復、智能支架跟蹤、高性能IV掃描診斷、組件級監控等智能化技術。建立逆變器質量追溯機制,提升逆變器制造效率和產品可靠性。

  碳化硅等第三代半導體有望加速導入光伏逆變器。碳化硅作為寬禁帶半導體材料代表,碳化硅器件具有低損耗、高開關頻率、高適用性、降低系統散熱要求等優點,在光伏新能源領域得到廣泛應用。在住宅和商業設施光伏系統中的組串逆變器里,碳化硅器件在系統級層面帶來成本和效能的好處。陽光電源等光伏逆變器龍頭企業已將碳化硅器件應用至其組串式逆變器中。

  伴隨下游市場的快速成長,2025年SiC市場規模將達25.62億元。根據Yole報告,2019年SiC功率器件的市場規模為5.41億美元,受益于電動汽車、充電樁、光伏新能源等市場需求驅動,預計2025年將增長至25.62億美元,復合年增長率約30%。

  智慧光儲系統將提升IGBT等功率半導體需求。計劃提出要發展智能光儲系統,推動光伏電站與抽水蓄能、電化學儲能、飛輪儲能等融合發展,建設一批電源側光伏儲能項目,保障光伏發電高效消納利用。根據國家發改委、能源局在《關于加快推動新型儲能發展的指導意見(征求意見稿)》提出到2025年我國新型儲能裝機規模將達30GW以上,IGBT作為儲能逆變器核心器件,需求將隨光儲系統建設而提升。

  投資建議:

  推薦關注碳化硅襯底生產企業天岳先進、露笑科技,提前布局碳化硅功率器件公司斯達半導、宏微科技、華潤微、士蘭微、新潔能等,布局碳化硅全產業鏈公司三安光電。

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